キオクシアとサンディスクは9月30日、岩手県北上市の北上工場第2製造棟（K2棟）が稼働を開始したと発表した。

　AI普及による中長期的なフラッシュメモリ需要の拡大に備え、218層の第8世代3次元フラッシュメモリ製品を生産するためCBA技術を導入し、2026年前半から本格出荷を始める。今後は市場動向に応じて設備投資を継続し、生産能力を段階的に拡大していく。

　K2棟は免震構造や省エネ設備を採用し、AIを活用した生産効率向上やスペース効率の高い設計を取り入れている。また、2024年2月に認定を受けた特定半導体生産施設整備計画に基づく助成金の一部が今回の設備投資に交付される。

　両社は20年以上にわたり続けているジョイントベンチャーを基盤に、3次元フラッシュメモリの共同開発と共同投資を進め、競争力と市場でのリーダーシップを強化していく考えだ。