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昭和電工、埼玉・秩父事業所で「SiCエピウェハー」の生産能力増強

2017年9月15日

 昭和電工(東京都港区)は14日、秩父事業所でパワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下:SiC)エピタキシャルウェハー(以下:エピウェハー)の高品質グレードエピウェハ―「ハイグレードエピ(以下:HGE)」の生産能力増強を決定したと発表した。

 月産能力は現在の3000枚から5000枚に拡大し、2018年4月の稼働開始を予定する。

 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されている。

 データセンターのサーバー用電源、新エネルギーの分散型電源に加え、近年は鉄道車両のインバータモジュールや電気自動車用急速充電スタンドでも採用が進み、2020年までのSiCパワーデバイス市場は年率27%と大きな伸びが見込まれている。

 高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBD(ショットキーバリアダイオード)とMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)が搭載されているが、現状はSiC-SBDの量産化が先行し、SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっている。

 同社が開発したHGEは、代表的な結晶欠陥である基底面転位(SiC単結晶の基底面に発生する転位)を0.1個/cm2以下に抑えたエピウェハーで、2015年10月の販売開始以降、生産体制は現在フル稼働が続いており、来年以降SiC-MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから、今回の能力増強を決定した。

■ 設備投資概要

所在地:埼玉県秩父市大字下影森1505(秩父事業所)
増産品目:高品質グレードエピウェハ―「ハイグレードエピ」
生産能力:3000枚から5000枚/月に拡大
稼働開始予定:2018年4月

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