三菱電機、福岡市に開発試作棟建設

2021年4月16日

 三菱電機は15日、パワー半導体の開発・製造を行うパワーデバイス製作所(福岡県福岡市)に、新たに「開発試作棟」を建設すると発表した。

 投資額は約45億円で、稼働開始は2022年9月を予定。需要が拡大しているパワー半導体の開発体制を強化する。

 近年、低炭素社会実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく制御するパワー半導体の需要が拡大・多様化している。

 今回の開発試作棟建設により、敷地内に分散していた開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室、分析評価機能を1カ所に集結させることで、新技術・新製品の開発を加速させる。

■ 新棟概要

所在地:福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号(パワーデバイス製作所内)
投資総額:約45億円
建築面積:約1,640㎡
延床面積:約10,350㎡
構造:鉄骨(S)造、地上6階建
主な設備:開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室
環境・省エネ対策:・高効率機器導入(空調機・換気設備・変圧器)
         ・人感センサ、照度センサ付きLED照明設置
         ・建物内装への木質材料使用
竣工予定:2022年8月
稼働開始予定:2022年9月

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